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經(jīng)過十多年的沉潛，次世代內(nèi)存的產(chǎn)品，包含F(xiàn)RAM（鐵電內(nèi)存），MRAM（磁阻式隨機存取內(nèi)存）和RRAM（可變電阻式內(nèi)存），在物聯(lián)網(wǎng)與智能應用的推動下，開始找到利基市場。

2017年5月，臺積電技術(shù)長孫元成首次在其技術(shù)論壇上，由發(fā)表了自行研發(fā)多年的eMRAM（嵌入式磁阻式隨機存取內(nèi)存）和eRRAM（嵌入式電阻式內(nèi)存）技術(shù)，分別預定在2018和2019年進行風險性試產(chǎn)， 且將采用先進的22奈米制程。研發(fā)這項技術(shù)的目標很清楚，就是要達成更高的效能、更低的電耗，以及更小的體積，以滿足未來智能化與萬物聯(lián)網(wǎng)的全方面運算需求。 目前包含三星與英特爾都在研發(fā)相關(guān)的產(chǎn)品與制程技術(shù)。

嵌入式內(nèi)存制程是在晶圓層級中，由晶圓代工廠把邏輯IC與內(nèi)存芯片整合在同一顆芯片中。 這樣的設計不僅可以達成最佳的傳輸性能，同時也縮小了芯片的體積，透過一個芯片就達成了運算與儲存的功能，而這對于物聯(lián)網(wǎng)裝置經(jīng)常需要數(shù)據(jù)運算與數(shù)據(jù)儲存來說，非常有吸引力。

以臺積電為例，他們的主要市場便是鎖定物聯(lián)網(wǎng)、高性能運算與汽車電子等。

不過，目前主流的閃存因為采電荷儲存為其數(shù)據(jù)寫入的基礎，因此其耐用度與可靠度在20nm以下，就會出現(xiàn)大幅的衰退，因此就不適合用在先進制程的SoC設計里。 雖然可以透過軟件糾錯和算法校正，但這些技術(shù)在嵌入式系統(tǒng)架構(gòu)中轉(zhuǎn)換并不容易。 所以結(jié)構(gòu)更適合微縮的次世代內(nèi)存就成為先進SoC設計的主流。

（來源：CTIMES）